Impact of the Gate Dielectric on Contact Resistance in High-Mobility Organic Transistors

Alexandra F. Paterson, Alexander D. Mottram, Hendrik Faber, Muhammad R. Niazi, Zhuping Fei, Martin Heeney, Thomas D. Anthopoulos

Producción científica: Articlerevisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Impact of the Gate Dielectric on Contact Resistance in High-Mobility Organic Transistors'. En conjunto forman una huella única.

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